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英特爾與美光研發(fā)出基于3D Xpoint架構(gòu)的突破性存儲(chǔ)技術(shù)
來源： 時(shí)間：2016-03-07
北京時(shí)間7月29日上午8點(diǎn)英特爾與美光全球同步發(fā)布：雙方共同研發(fā)最新的存儲(chǔ)技術(shù)--基于3D Xpoint架構(gòu)閃存技術(shù)，這是一款突破性全新的（NON-V）非易失性存 儲(chǔ)器。
相對(duì)于目前的NAND超出1000倍的速度、超出1000倍的耐用性，此外，相比傳統(tǒng)存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器技術(shù)的存儲(chǔ)密度也提升高達(dá)10倍。（NAND是一種非易失性存 儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。）也是自1989 年NAND閃存推出至今的首款基于全新技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器。
3D XPoint 技術(shù)點(diǎn)包括：
交叉點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)——垂直導(dǎo)線連接著 1280 億個(gè)密集排列的存儲(chǔ)單元。每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)。借助這種緊湊的結(jié)構(gòu)可獲得高性能和高密度位。
可堆疊——除了緊湊的交叉點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)之外，存儲(chǔ)單元還被堆疊到多個(gè)層中。目前，現(xiàn)有的技術(shù)可使集成兩個(gè)存儲(chǔ)層的單個(gè)芯片存儲(chǔ)128Gb數(shù)據(jù)。未來，通過改進(jìn)光 刻技術(shù)、增加存儲(chǔ)層的數(shù)量，系統(tǒng)容量能夠獲得進(jìn)一步提高。
選擇器——存儲(chǔ)單元通過改變發(fā)送至每個(gè)選擇器的電壓實(shí)現(xiàn)訪問和寫入或讀取。這不僅消除了對(duì)晶體管的需求，也在提高存儲(chǔ)容量的同時(shí)降低了成本。
快速切換單元——憑借小尺寸存儲(chǔ)單元、快速切換選擇器、低延遲交叉點(diǎn)陣列和快速寫入算法，存儲(chǔ)單元能夠以高于目前所有非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的速度切換其狀態(tài) 。
3D Xpoint架構(gòu)閃存為數(shù)據(jù)庫提供大規(guī)模的內(nèi)存應(yīng)用，可以提供更快的系統(tǒng)恢復(fù)，同時(shí)提供更低延遲 更長耐久性。應(yīng)用環(huán)境比如機(jī)器學(xué)習(xí)、實(shí)時(shí)跟蹤疾病和身臨其境的8K游戲等等。
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