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英特爾與美光研發出基于3D Xpoint架構的突破性存儲技術

來源：時間：2016-03-07

北京時間7月29日上午8點英特爾與美光全球同步發布：雙方共同研發最新的存儲技術--基于3D Xpoint架構閃存技術，這是一款突破性全新的（NON-V）非易失性存儲器。

相對于目前的NAND超出1000倍的速度、超出1000倍的耐用性，此外，相比傳統存儲器，該存儲器技術的存儲密度也提升高達10倍。（NAND是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據。）也是自1989 年NAND閃存推出至今的首款基于全新技術的非易失性存儲器。

交叉點結構實現高可擴展獨特的材料實現了更高性能

3D XPoint 技術點包括：

交叉點陣列結構——垂直導線連接著 1280 億個密集排列的存儲單元。每個存儲單元存儲一位數據。借助這種緊湊的結構可獲得高性能和高密度位。

可堆疊——除了緊湊的交叉點陣列結構之外，存儲單元還被堆疊到多個層中。目前，現有的技術可使集成兩個存儲層的單個芯片存儲128Gb數據。未來，通過改進光刻技術、增加存儲層的數量，系統容量能夠獲得進一步提高。

選擇器——存儲單元通過改變發送至每個選擇器的電壓實現訪問和寫入或讀取。這不僅消除了對晶體管的需求，也在提高存儲容量的同時降低了成本。

快速切換單元——憑借小尺寸存儲單元、快速切換選擇器、低延遲交叉點陣列和快速寫入算法，存儲單元能夠以高于目前所有非易失性存儲技術的速度切換其狀態。

3D Xpoint架構閃存為數據庫提供大規模的內存應用，可以提供更快的系統恢復，同時提供更低延遲更長耐久性。應用環境比如機器學習、實時跟蹤疾病和身臨其境的8K游戲等等。