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英特爾與美光研發(fā)出基于3D Xpoint架構(gòu)的突破性存儲技術(shù)
來源： 時間：2016-04-12
北京時間7月29日上午8點英特爾與美光全球同步發(fā)布：雙方共同研發(fā)最新的存儲技術(shù)--基于3D Xpoint架構(gòu)閃存技術(shù)，這是一款突破性全新的（NON-V）非易失性存 儲器。
相對于目前的NAND超出1000倍的速度、超出1000倍的耐用性，此外，相比傳統(tǒng)存儲器，該存儲器技術(shù)的存儲密度也提升高達(dá)10倍。（NAND是一種非易失性存 儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。）也是自1989 年NAND閃存推出至今的首款基于全新技術(shù)的非易失性存儲器。
交叉點結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高可擴(kuò)展 獨特的材料實現(xiàn)了更高性能 3D XPoint 技術(shù)點包括：
交叉點陣列結(jié)構(gòu)——垂直導(dǎo)線連接著 1280 億個密集排列的存儲單元。每個存儲單元存儲一位數(shù)據(jù)。借助這種緊湊的結(jié)構(gòu)可獲得高性能和高密度位。
可堆疊——除了緊湊的交叉點陣列結(jié)構(gòu)之外，存儲單元還被堆疊到多個層中。目前，現(xiàn)有的技術(shù)可使集成兩個存儲層的單個芯片存儲128Gb數(shù)據(jù)。未來，通過改進(jìn)光 刻技術(shù)、增加存儲層的數(shù)量，系統(tǒng)容量能夠獲得進(jìn)一步提高。
選擇器——存儲單元通過改變發(fā)送至每個選擇器的電壓實現(xiàn)訪問和寫入或讀取。這不僅消除了對晶體管的需求，也在提高存儲容量的同時降低了成本。
快速切換單元——憑借小尺寸存儲單元、快速切換選擇器、低延遲交叉點陣列和快速寫入算法，存儲單元能夠以高于目前所有非易失性存儲技術(shù)的速度切換其狀態(tài) 。
3D Xpoint架構(gòu)閃存為數(shù)據(jù)庫提供大規(guī)模的內(nèi)存應(yīng)用，可以提供更快的系統(tǒng)恢復(fù)，同時提供更低延遲 更長耐久性。應(yīng)用環(huán)境比如機器學(xué)習(xí)、實時跟蹤疾病和身臨其境的8K游戲等等。
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